TrendForce最新內存現貨價格走勢報告顯示，DRAM方面，現貨市場成交持續增加，合約市場對SK海力士DDR5產品需求旺盛，DDR5貨源緊俏，價格上漲。NAND Flash方面，本周Wafer現貨市場延續漲價態勢，后續Wafer價格有望持續上漲，512GbTLC晶圓現貨價格本周上漲2.33%，報2.5美元。
AI大模型訓練對內存帶寬需求呈指數級增長，傳統DDR內存已無法滿足需求。HBM(高帶寬內存)通過3D堆疊技術將DRAM芯片垂直堆疊，最新的HBM3E可實現高達819GB/s的帶寬，較DDR5提升5倍以上。在AI服務器中，HBM的成本占比約為20%-30%，僅次于用于計算的AI芯片。
研究機構表示，存儲芯片行業正處于技術創新與需求復蘇的雙重驅動期，2025年全球存儲市場預計仍會維持雙位數增長，預期將會突破2300億美元。伴隨著巨頭廠商減產、AI轉向推理市場刺激下游需求、技術持續創新三重因素下，存儲芯片市場會出現持續性復蘇。
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